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场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。根据光耦的导通特性，该电路的零点指示滞后实际交流电发生的零点。滞后时间可以根据光耦的导通电流计算，NEC2501的典型值是10ma，实际上，当前向电流达到1ma的时候光耦一般就已经导通了。现以1ma电流计算，电阻3×47k=141k,则电压为141V，相应的滞后零点时间约为1.5ms。设0.5ma导通则电压为70V，则滞后时间为722us。光耦导通时间较长，即光耦电流由0变为导通电流这个渐变过程较长，导致光耦特性边缘时间差异明显，产品一致性差。电感这个元件在电子电路中是经常见到的，我们炒菜用的电磁炉里面有线圈盘它是特制的电感、电源变压器、电流互感器以及扼流圈都是电感。它在电路中一般起到滤波、扼流、调谐、延时、耦合、补偿等很多作用，今天我们来说说电感是如何进行充放电的。电感的充电原理为了能够清楚表述充电的原理，我们可以用下面的电路模型来进行说明问题。当我们把关拨到1的位置的时候，由于电感的自感应原理，会建立一个左正右负的感应电动势来阻碍电源对线圈的充电电流，此时电感线圈L里的电流会慢慢增大，与电感线圈的灯泡此时的亮度会慢慢变亮。NMOS的实物图和引脚分布如下图所示。什么是肖特基二极管肖特基二极管又叫势垒二极管，是由金属和半导体接触形成的二极管，其特点为：反向恢复时间非常短，为ns级别；正向导通压降非常低：为0.3-0.5V左右；漏电流较大、反向击穿电压比较低；通常用在低压关电源中，以肖特基二极管MBR30100为例，其实物图和结构图如下图所示。该肖特基二极管有三个电极，其中一个公共端是阴极，由两个二极管共阴极构成。关于场效应管的反向并接的二极管的问题?有些场效应管的规格书里原理图上标有一个稳压管符号，为了搞清楚其中的真正情况，我们抽取了几种有该二极管符号的样品进行检测试验，发现有以下两种情况：1.实际是本体的寄生二极管；2集成的肖特基二极管前一种情况，估计是文件时直接将其他文件中的图形复制过来所致。